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磁控濺射是利用磁場束縛電子的運(yùn)動（即磁控管模式），其結(jié)果導(dǎo)至轟擊基片的高能電子的減少和轟擊靶材的高能離子的增多，使其具備了“低溫”、“高速”兩大特點(diǎn)。磁控濺射法制備的薄膜厚可控性和重復(fù)性好、薄膜與基片的附著能力強(qiáng)，膜層純度高。
設(shè)備參數(shù)：
★真空室：?220mm*H280mm（可選石英腔體或金屬腔體）；
★真空系統(tǒng)：8立方機(jī)械泵一臺（預(yù)留分子泵接口，可選裝），配備KF25角閥一只，數(shù)顯真空計一臺，含金屬規(guī)管（配觸摸屏系統(tǒng)采用進(jìn)口規(guī)管）；
★進(jìn)氣系統(tǒng)：配置一質(zhì)量流量控制器控制進(jìn)氣，另配一路放氣閥；
★濺射系統(tǒng)：配置一套2或者3inch磁控濺射靶，濺射靶高度可調(diào)。直流濺射電源（可選配射頻電源）一套，旋轉(zhuǎn)樣品臺一件，（可選配帶偏壓功能旋轉(zhuǎn)樣品臺）；
★設(shè)備臺架：金屬臺架，外形尺寸約480*480*600mm，表面噴塑處理；
★標(biāo)配PLC+觸摸屏控制。
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